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数码大V首测骁龙8+ Gen1性能更强能耗更低下半竞博JBO官网年旗舰稳了

作者:小编 发布时间:2023-07-13 点击:

  原标题:数码大V首测骁龙8+ Gen1,性能更强,能耗更低,下半年旗舰稳了

  5月20日晚,高通如期举行2022骁龙之夜,正式发布了下半年旗舰芯片骁龙8+ Gen 1,作为改用台积电 4nm工艺的产品,不少消费者都十分期待骁龙8+ Gen 1的性能、功耗等各方面的表现。而在发布会后,有知乎大V也是第一时间放出了搭载该芯片产品(工程机)的各项场景测试信息,下面就一起来看看骁龙8+ Gen 1的测试到底如何,或许从中能提前看到下半年各品牌旗舰新机的表现。

  首先来看看此次骁龙8+ Gen 1所采用的台积电N4工艺和之前的三星4LPE工艺的区别。虽然两者都是原有5nm工艺节点的改进工艺,但三星的5LPE实际上是7nm 7LPP的改进的改进工艺,而台积电的N5则是更为领先的全新工艺节点,所以此次从三星4 LPE更换成台积电N4,理论上而言在在晶体管性能和功耗表现上会有较大的提升。

  当然了,理论归理论,产品还是要用实际表现说话。在安兔兔的跑分测试中,骁龙8+ Gen 1的跑分确实要更高一些,稳定在110万分以上,而骁龙8 Gen 1和天玑9000也基本是在100万分左右,而且可以看到骁龙8+ Gen 1在CPU/GPU和UX部分上相对骁龙8 Gen 1性能都有明显的提升。

  在GeekBench 5的性能测试中,骁龙8+ Gen 1的性能表现也十分不错,单线分,这主要是因为Cortex-X2大核心从3GHz提高到3.2GHz,而多线分,则是得益于Cortex-A710中核频率从2.5GHz提高到了2.75GHz,相比于其他旗舰处理器,还是有一些领先优势的。

  看完了跑分和性能的测试,再来看看大家关心的功耗表现。知乎大V通过Burnout Benchmark默认测试,得到了SoC的计算分,每瓦性能和最高功耗。从结果来看,骁龙8+ Gen 1的CPU功耗和能效比都要好于天玑9000,GPU部分天玑9000的功耗控制策略偏保守,牺牲部分性能获得了更高的能效比,相比于骁龙8 Gen 1提升了13%,这个表现实话说还是很不错的。

  最后再来看看实际的游戏测试,在大V的《原神》测试中,骁龙8+ Gen 1开启性能模式下基本全程可以稳定60FPS,而且FPS波动较小,大核心基本运行在2GHz,60%利用率,甚至开启均衡模式骁龙8+ Gen 1也可以稳定60FPS。作为对比竞博JBO官网,天玑9000也基本能够稳定在60FPS,但波动幅度更大,频次更多,相比骁龙8 Gen 1、骁龙888,在平均帧率、稳定性上也有着明显的优势。

  至于发热和功耗方面的表现,根据实际的测试,天玑9000功耗前段在5-5.5W,后期摸到6W以上,骁龙8+ Gen 1开启性能模式下功耗在3分钟也有阶梯状的下降,从6-6.5W降低到5-5.5W,在均衡模式下全程功耗维持在5-5.5W,这一表现甚至比天玑9000还低,而且性能稳定性更好一些。

  发热方面,由于骁龙8+ Gen 1性能释放更猛一些,所以机身温度相对较高一些,背面40.3度数码,正面39.4度,还算是在合理范围内,骁龙8 Gen 1由于降频原因,温度也没上去,背面为37度,正面为38.6度;而天玑9000则是因为GPU规模更小,频率控制策略更保守,背面温度为36度,37.1度数码,跟性能释放基本成线性关系。

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  特别值得一提的是,以上的骁龙8+ Gen1的所有测试都是来自于ROG提供的工程机,难道ROG新机会是首批搭载骁龙8+ Gen 1机型?而且目前还只是工程机,各方面表现就这么猛,如果是经过优化的量产机型,实际体验或许还会有新的升级,非常值得期待。

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  通过知乎大V对骁龙8+ Gen 1的全方位深度测试,可以看到在改用台积电台积电N4工艺后,从性能到功耗都迎来了全新的升级,下半年的旗舰终端产品表现应该是稳了。而且从目前的消息来看,骁龙8+ Gen 1的规模已经是台积电N4工艺的极限,接下来的3nm量产还处于未知,因此下一代的高通旗舰芯片,可能不会像之前一样在年底就发布,骁龙8+ Gen 1的生命周期或许会进一步延长,所以基本上可以准备好钱购入下半年的旗舰了,这波稳了。返回搜狐竞博JBO官网,查看更多

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